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카이스트 반도체공학대학원
공동장비예약시스템

카이스트 반도체공학대학원의 공동 장비 정보를
종합적으로 제공하고 편리한 예약을 도와드립니다.

나노종합기술원 교육용팹
Alpha Step

300mm 영역까지 측정 가능한 최적화된 QA/QC 프로파일러

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나노종합기술원 교육용팹
ICP-Asher

Ar, O2 plasma 처리

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나노종합기술원 교육용팹
Furnace

최대 900 도 온도까지 조절할 수 있는 전기로

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나노종합기술원 교육용팹
Manual Mask Aligner

마스크 얼라이너 및 노광장치

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나노종합기술원 교육용팹
MEMS Thermal Evaporator

금속 (Cu, Al, Ni, Cr, Au 등) 시료에 열을 가해 녹인 후 evaporation 시켜 금속박막증착이 가능한 장비

예약 불가

나노종합기술원 교육용팹
CMOS Oxidation Tube Furnace

H2, N2, O2 유입 및 열처리를 통한 Si wafer oxidation

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나노종합기술원 교육용팹
E-beam evaporator

금속 (Cr, Ti, Pt, Au, Pd 등)에 전자 빔을 가해 녹이고 증발시켜 금속 박막을 증착하는 장비

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미래융합소자동 클린룸
Plasma RIE

Ar, O2, SF6 plasma 처리

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미래융합소자동 클린룸
페릴린 코팅 장치

페릴린 코팅

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미래융합소자동 클린룸
Polymer Etcher

Polymer (PDMS, SU-8, Polyimide, Teflon 등) Etching

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미래융합소자동 클린룸
마스크/본드 얼라이너 (Mask/Bond Aligner)

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미래융합소자동 클린룸
진공증착기(THERMAL EVAPORATOR)

열을 이용해 시료를 녹여 증착한다

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미래융합소자동 클린룸
전자빔 증착기 (Ebeam)

전자빔을 통해 금속 박막을 증착하는 장비

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미래융합소자동 클린룸
고주파유도가열기(CMOS용)

고온에서 열처리를 위한 장비

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미래융합소자동 클린룸
고주파유도가열기(MEMS용)

고온에서 열처리를 위한 장비

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미래융합소자동 클린룸
E-beam Lithography

< 장비 사양>
- Beam energy : 20 eV – 30 keV,  Beam current : 5 pA – 20 nA
- Writing speed : 0.125 Hz – 20 MHz pixel frequency
- Stage travel range/sample size:  100 mm/ ≤ 4 inch wafer
- Beam size   ≤ 1.6 nm @ 20 keV,  Beam current density ≥ 7500 A/cm⊃2;,  Beam current drift  ≤ 0.5% / 8 hours
- Minimum grating periodicity  ≤ 40 nm,  Minimum linewidth  ≤ 8 nm
- Stitching accuracy  ≤ 40 nm (mean+3σ),  Overlay accuracy  ≤ 40 nm (mean+3σ)
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<사용자 주의사항>
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1. 장비 및 주변 시설에 절대 몸을 기대지 말 것.
2. e-beam 노광 중에는 절대 장비를 만지지 말 것.
3. 장비와 연결된 전원, UPS, 분전반의 서킷브레이커 절대 만지지 말 것. 
4. stage의 Z(W) 방향 이동시에는 샘플이 column에 충돌하지 않도록 주의할 것.
5. Global coordinate (XYZ)와 local coordinate (UVW) 착각 주의할 것.
6. 기본 manual 및 장비교육에서 다룬 기능 외의 다른 기능을 사용할 시에는 처음 사용 전 관리자에게 문의할 것.
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< 장비 교육 및 자율 사용자 등록>
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1. 한번 교육 및 테스트에 최소 3일 이상 소요됨을 먼저 인지함. 
2. 장비 관리자들이 각 연구실 superuser를 교육시키고, superuser는 해당 연구실 학생을 교육한 후, 테스트/라이센스 부여를 관리자가 함.
3. 따라서 장비 담당자에게 문의하여 본인 연구실에 이미 교육 받은 superuser가 있다면 superuser에게 교육을 받은 뒤 장비 담당자 등록 요청. (무조건 동행하여 교육/연습할 것, 단독 사용 적발시 경고 처리)
만약 본인 연구실에 superuser가 없다면 본인이 직접 장비 담당자에게 교육을 받고 본인 랩실에 superuser로서 장비를 활용함. 
(1회 최소 예약 시간: 1시간, 최대 예약 시간: 5시간)
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*매달 초에 superuser 교육 진행 예정 (교육 희망하는 경우, 관리자에게 메일로 신청할 것)
(교육 내용이 많으며, 장소 협소하여 한 번에 교육 가능한 인원에 제한이 있을 수 있음.)
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<장비 교육 및 문제 발생시 연락할 장비 학생 담당자>
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김인기, ingee98@kaist.ac.kr, 010-5102-7023
이찬직, chan3627@kaist.ac.kr, 010-3236-7449

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미래융합소자동 클린룸
Maskless Laser Beam Lithography

<장비 사양>
   1. Laser 파장 : 405 nm
   2. Resolution : 300 nm
   3. 기판크기 : chip size부터 최대 8 inch까지 가능함
   4. 기판 고정 방식 : Vaccum
   5. Writing speed : 최대 400 mm/s
   6. Patterning 방식 : laser를 활용하여 직접 그리는 방식
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<사용자 주의 사항>
 현재 장비의 레이저와 레이저 파워 스펙상 300 nm 크기의 패턴을 안정적으로 구현하기 위해서는 사용하는 PR의 두께가 500 nm ~700 nm 사이의 두꼐를 가져야함. 
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< 자율 사용자 교육 학생 담당자>
김현수/ kim990828@kaist.ac.kr  
(1회 최소 예약 시간: 2시간, 최대 예약 시간: 5시간)
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< 문제 발생시 연락할 학생 담당자 >
김현수 / kim990828@kaist.ac.kr
이다혜 / ldh9049@kaist.ac.kr  
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미래융합소자동 1층 측정실
AFM

1. 자율사용자 교육 (매달 두번째, 네번째 화요일 4시, 장소: 해당 측정실)  후 예약가능 (일자와 시간을 정해서 이메일 신청: 연구교수 박철민/cheolminpark@kaist.ac.kr)
2. 자율사용자 교육은 Topology 측정에만 해당. 
3. 사용시 장치이상 발견시 필히 연락.
4. 바탕화면 자료 폴더에 분석 프로그램 설치파일과 해당 분석 매뉴얼 pdf 존재함으로 copy해  가도됨.   
5 AFM tip은 랩별 별도 구비해서 가져와서 사용.(추천하는 AFM tip)
      A. Topology  (non-contact)   : NCHR
      B. DCEFM/CAFM (contact)    : NSC36-Cr/Au, NSC36-Ti/Pt , PPP-CONTSCPt
      C. EFM/KPFM (non-contact) : NSC14-Cr/Au, PPP-NCSTAu 
      D. MFM   : PPP-MFMR 
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주요사양
1. XY scan range: 5x5 𝜇𝑚 ~ 100x100 𝜇𝑚
2. Mode : Contact, Non-contact
3. Measurement :
- Topology 
- Lateral Force Microscopy (LFM) 
- Electrostatic Force Microscopy (EFM)
- Conductive-AFM (CAFM)
- Kelvin probe microscopy (KPFM)
- Magnetic Force Microscopy (MFM)

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미래융합소자동 1층 측정실
FESEM/EDS

<예약관련>

(1) 자율사용자 교육 (매달 두번째/네번째 화요일 2시, 장소: 해당 측정실) 후 예약가능. (일자와 시간을 정해서 이메일 신청: 연구교수 박철민, cheolminpark@kaist.ac.kr)

(2) 최소 1시간 예약, 최대3시간 예약

(3) 24시간 예약 사용 가능. 

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 < 사용시 주의사항>

(1) 파우더등 날리는 시료 및 부착이 단단하지 않은 carbon nanotube nanowire 측정 금지.

(2) Vent할때 뚜껑이 아직 닫혀 있는데 과도하게 당겨서 열려고 하지 말 것

(3) Pumping할 때 살짝 뚜껑을 손으로 누르고 있는 상태에서 Pump 버튼을 누른 후 누르는 상태를 10초간 유지.

(4) Working distance를 좁힐 때 조금씩 좁히며, Pole piece에 닿지 않게 주의. (카메라 화면을 보면서 GoTo를 누른 후  pole piece에 닿을 것 같으면 바로 Stop 버튼을 누름)

(5) 전압과 전류를 한번에 과도하게 높이지 말고 점진적으로 높이거나 줄임.

(6) 종료 시 저배율로 하고 전압, 전류 낮춘 후 beam off.

(7) 시료 수거 후 안전하게 (3)과 같이 Pumping하여 진공 잡고 퇴장함.

*기타 이슈사항 발생시 관리자에게  꼭 연락  (cheolminpark@kaist.ac.kr)

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< 교육 동영상>
중앙분석센터 홈페이지/교육및세미나/교육동영상에서 [S6](Self)Field Emission SEM (Magellan 400)"을 검색해서 해당 영상 참조
 .
<주요사양>
1. 분해능(최적 작동거리 상) : 0.8 nm at 15kV /  0.9 nm at1 kV / 1.5 nm at 200V
2. 측정 가능 영역 :  ≤ 100 nm ~ 1.5 mm
3. 가속전압 : 50 V ~ 30 kV / 빔 전류 : 1 pA ~ 22 nA
4. 5축 피에조 스테이지 : 
- XY: 100 mm, 
-  Z: ≥ 20 mm, 
- T: - 10 ° to + 60 °, 
- R: 360 ° continuous

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미래융합소자동 1층 측정실
광학현미경 (Optical microscopy)

<사용 사항>

(1) ***해당 장비는 예약없이 사용을 바로 할 수 있음*** (사용자가 있을 경우 기다렸다가 사용함.)

(2) 조명은 on한 후 천천히 세기를 올리고, 끌 때도 조명 세기를 약하게 한 후 off함.

(3) 측정 종료 후 조명 끄는 것 잊이 말 것.

(4) 장비 이상 시 연락 (연구교수 박철민 cheolminpark@kaist.ac.kr)

< 장비 사양>

(1) Objective lens : x4, x10, x20, x50, x100

(2) 영상 프로그램을 통해서 이미지 캡쳐 및 길일 측정 가능

(3) x50 objective lens의 경우 bright field 뿐아니라 Dark field 측정도 가능

(4) 480 nm, 550  nm 조명 필터 : 해당 빛 파장에 대한 형광이미징 가능

   U-25Y48 filter : 480 nm 부근 파장을 입사광으로 사용

   U-25IF550 filter  : 550 nm 부근 파장을 입사광으로 사용 

(5) 편광 특성 측정 가능 

   U-PO3 filter :  linear polarizer 조명을 특정 편광으로 조사.

   U-AN360-3 : analyzer 손으로 각도를 조절하여 해당 편광 특성 확인. 

예약하기

미래융합소자동 클린룸

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(1) E-beam Lithography 

(2) Maskless Laser Beam Lithography

 

2개 장비 등록 완료

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자세한 사항은 장비

정보 페이지에서 확인

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