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장비 예약

  • 미래융합소자동 클린룸 고주파유도가열기(CMOS용)

    고온에서 열처리를 위한 장비

    1. Process Temperature / time
      - #1 : 800 ~ 1000 ℃ / Max 1 minute
      - #2 : 600 ~ 800 ℃ / Max 10 minutes
      - #3 : 400 ~ 600 ℃ / Max 2 hours
      - #4 : < 400 ℃ / time limitation X
    2. Sample loading : 4" wafer size / piece w/ dummy wafer
    3. Max gas flow : 1000 sccm
    주의사항
    1. 진공을 잡을 경우 챔버 뚜껑을 눌러주세요.
    2. 공정 완료 시 챔버는 반드시 저진공 상태를 잡아주세요.
    3. 장비 사용 시 반드시 레시피에 본인 연구실, 이름 넣어주세요.
    4. 승온되고 온도가 안정적일때까지 자리를 반드시 지켜주세요.
    위 사항을 준수하지 않을 경우 패널티가 주어집니다.

    • 설치장소 미래융합소자동 클린룸 1층 오가닉룸 (안쪽)
    • 모델명 RTP-200
    • 담당자 정보

      이동규 dongkyu2080@kaist.ac.kr

    • 사용료 무료

장비 사용 시, 장비 위에 올려져있는 로그북을 필수로 작성해주세요.

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